采用热压烧结法制备成厚为10mm,直径为60mm的圆饼状块体材料。具体无压烧结工艺参数30MPa，烧结1h。变化烧结温度1800C、1835C、1870C 、1900C和1935°C。

如图所示为烧结温度度与陶瓷材料的质量损失关系曲线。随着烧结温度升高，无压烧结SiC陶瓷的质量损失行为越严重。当烧结温度为1800C时,其质量损失约为3.43%。当烧结温度为18359C时,其质最损失率增加。当烧结温度达到1900C时其质量损失比例高达7.88%。在烧结过程中烧结助剂不断挥发,随着温度升高，助剂La2O3和Al203挥发逐渐增加，使质量损失率越来越高,超过1900C质量损失率有所放缓。随着反应温度升高,烧结过程中会发生化学反应，产生的]气相物质不断挥发导致质量损失。

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