1. 无压烧结

Sic的无压烧结可分为固相烧结与液相烧结两种。固相烧结是美国科学家Prochaka于1974年首先发明的,在亚微米级的β-SiC中添加少量的P与C,实现 SiC无压烧结，制得接近理论密度95%的烧结体。w. Btcker采用a -SiC为原料，添加P和c同样可使SiC致密化。P与其化合物和Al与其化合物均可与SiC形成固熔体而促进烧结,C是与siC表面的SiO2反应增加表面能,对烧结有利。固相烧结的SiC,晶界较为干净，基本无液相存在，晶粒在高温下很易长大。因此断裂时 是穿晶断裂,强度韧性通常较低，一般为300 ~ 450MPa和3.5 ~4.5MPa . m/h之 间。SiC液相烧结是M. MA于20世纪90年代提出的,选用的添加剂是Y2O3 – Al2O3以及稀土类氧化物组合。氧化物Y203与Al203反应会生成三种不同的低共熔化合 物，如YAG( Y3A1,O1s ,熔点1760°C),YAP( YAIO3 ,熔点18509C)和YAM( Y,Al2O, ,熔点1940C)，常采用YAG作为SiC烧结的添加剂。

2. 反应烧结

反应烧结技术是一种近净尺寸制造技术，其工艺简单，成本低，在1450 ~1600C的较低温度与较短时间内通过渗硅反应实现SiC的烧结，可制备尺寸大形状复杂的部件。反应烧结SiC陶瓷的制备工艺较为简单，由于渗硅反应烧结固有缺陷，使得SiC中存在8%~12%的游离Si,降低高温力学性能、耐蚀性及耐氧化性能,使用温度限制在1350C以下。直接采用一定颗粒级配的SiC,与C混和后成型素坯,然后在高温下进行渗硅，部分Si与C反应生成SiC与坯体中SiC结合，达到烧结的目的。渗硅有两种方法:①温度达到Si的熔融温度，产生Si的液相，通过毛细管的作用,Si直接进人坯体与C反应生成SiC达到烧结的目的;②温度大于Si的熔融温度,产生Si蒸气，通过Si蒸气渗入坯体实现烧结。